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武汉科美芯电气有限公司

日立ABB IGBT模块,PNJ(派恩杰)碳化硅分立器件及模块,Lite-On(光宝)光耦驱动...

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ABB PCT二极管5STP 50Q1800
Phase Control Thyristor5STP 50Q1800VDRM=1800 VIT(A V)M=6100 AIT(RMS)=9580 AITSM= 94.0103AVT0=0.90 VrT=0.050 mW 专利浮动
2024-09-02
ABB PCT二极管5STP 42L1800
Phase Control Thyristor5STP 42L1800VDRM=1800 VIT(A V)M=4310 AIT(RMS)=6770 AITSM= 64.0103AVT0=0.81 VrT=0.08 mW 专利浮动硅
2024-09-02
ABB PCT二极管5STP 27H1800
Phase Control Thyristor5STP 27H1800VDRM=1800 VIT(A V)M=2940 AIT(RMS)=4620 AITSM= 50.5103AVT0=0.912 VrT=0.096 mW 专利浮动
2024-09-02
ABB PCT二极管5STP 18F1810
5STP 18F1810Phase control thyristorVDRM, VRRM= 1800 VITA Vm= 1780 AITSM= 21000 AVT0= 0.923 VrT= 0.188 mΩ 专利浮动
2024-09-02
ABB PCT二极管5STP 07D1800
Phase Control Thyristor5STP 07D1800VDRM=1800 VIT(A V)M=760 AIT(RMS)=1190 AITSM= 9.0103AVT0=0.927 VrT=0.448 m 专利浮动
2024-08-16
ABB GTO二极管5SGF 30J4502
Gate turn-off Thyristor5SGF 30J4502PRELIMINARYVDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24 kAVT0= 1.80 VrT= 0.70 mΩVDClin= 3000 V
2024-08-16
ABB GTO二极管5SGF 40L4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGF 40L4502VDRM=4500 VITGQM=4000 AITSM= 25103AVT0=1.2 VrT=0.65 mWVDclink=2800 V专利自
2024-08-16
ABB GTO二极管5SGA 40L4501
Asymmetric Gate turn-off Thyristor5SGA 40L4501VDRM= 4500 VITGQM= 4000 AITSM= 25103AVT0= 2.1 VrT= 0.58 mWVDclink= 2800 V
2024-08-16