返回主站|会员中心|保存桌面|手机浏览
普通会员

武汉科美芯电气有限公司

日立ABB IGBT模块，PNJ（派恩杰）碳化硅分立器件及模块，Lite-On（光宝）光耦驱动...

产品分类
站内搜索
 
友情链接
  • 暂无链接
以橱窗方式浏览 | 以目录方式浏览 供应产品
图片 标 题 更新时间
ABB GTO二极管5SGA 30J4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 30J4502VDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24103AVT0= 2.2 VrT= 0.6 mΩVDclink= 2800 V专 		2024-08-16
ABB GTO二极管5SGA 20H4502
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H4502VDRM= 4500 VITGQM= 2000 AITSM= 13 kAVT0= 1.80 VrT= 0.85 mΩVDClin= 2200 V 专利自由漂 		2024-08-08
ABB GTO二极管5SGA 06D4502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 06D4502PRELIMINARYVDRM=4500 VITGQM=600 AITSM=3103AVT0=1.9 VrT=3.5 mWVDclink=2800 V 		2024-08-08
ABB GTO二极管5SGA 30J2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 30J2501VDRM= 2500 VITGQM= 2800 AITSM=30 kAVT0=1.5 VrT= 0.33 mVDClink= 1400 V 专利自由漂浮 		2024-08-08
ABB GTO二极管5SGA 25H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 25H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2500 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技 		2024-08-08
ABB GTO二极管5SGA 20H2501
Gate turn-off Thyristor5SGA 20H2501VDRM= 2500 VITGQM= 2000 AITSM=16 kAVT0=1.66 VrT=0.57 mWVDClin= 1400 V专利自由漂浮硅技 		2024-08-08
ABB GTO二极管5SGA 15F2502
Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGA 15F2502VDRM=2500 VITGQM=1500 AITSM= 10103AVT0=1.45 VrT=0.90 mWVDclink=1400 V 专利 		2024-08-07
ABB IGBT模块5SNA1000G650300
供应ABB高压IGBT模块5SNA1000G6503005SNA 1000G650300HiPak IGBT moduleVCE = 6500 VIC = 1000 A超低损耗、坚固耐用的SPT++芯片 		2024-08-07
   首页   下一页   上一页   尾页